利用二元前驱体理解 GaN 纳米线低温生长的 Raoult 形式论
材料科学
2015-09-01 v1
摘要
本文以 Au 为催化剂，通过金属引发的气-液-固机制进行了 GaN 纳米线的生长。在化学气相沉积技术中，由于 Ga 在 900 ^oC 以下蒸气压较低，GaN 纳米线通常在 900-1100 ^oC 的高温范围内生长。在本研究中，我们在低至 700 ^oC 的温度下生长了 GaN 纳米线。本文在 Raoult 定律的框架内讨论了铟在降低生长温度中的作用。使用铟来充分增加 Ga 的蒸气压，使其即使在低温下也能蒸发，从而引发 GaN 纳米线的生长。除了与结构和振动性质相关的研究外，还报道了所生长纳米线的光学性质，以进行详细的结构分析。
引用
@article{arxiv.1508.07808,
title = {Raoult's Formalism in Understanding Low Temperature Growth of GaN Nanowires using Binary Precursor},
author = {Kishore K. Madapu and S. Dhara and S. Amirthapandian and S. Polaki and A. K. Tyagi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.07808},
year = {2015}
}
备注
24 pages, 7 figures, journal