新型 4D Einstein-Gauss-Bonnet 引力中的辐射黑洞

最近 Glavan 与 Lin [Phys. Rev. Lett. 124, 081301 (2020)] 提出了一种新型 Einstein-Gauss-Bonnet 引力，其中 Gauss-Bonnet 耦合被重新标度为 $\alpha/(D-4)$，且 $4D$ 理论定义为极限 $D \rightarrow 4$，其保持了自由度数量从而免于 Ostrogradsky 不稳定性。我们给出新型 4D Einstein-Gauss-Bonnet 引力中精确的球对称非静态零尘埃解，它绕过了 Lovelock 定理。我们的解表示辐射黑洞，并在极限 $\alpha \rightarrow 0$ 下重现了广义相对论(GR)中著名的 Vaidya 黑洞。我们讨论黑洞解的视界结构，发现表征其结构的三个类视界轨迹，即 $AH$、$EH$ 与 $TLS$，具有关系 $r_{EH} < r_{AH} = r_{TLS}$。文中也考虑了该理论中的带电辐射黑洞，推广了 Bonnor-Vaidya 黑洞。特别地，我们的结果在极限 $\alpha \rightarrow 0$ 下恰好约化为广义相对论中 vis-$\grave{a}$-vis 的 4D 黑洞。