应变二维单硫族化物中激子复合的淬灭
介观与纳米尺度物理
2019-08-21 v1 材料科学
摘要
我们预测，在诸如 GaSe 等单硫族化物的单层或少数层中，也可存在具有非常大结合能的长寿命激子。我们的理论研究表明，由径向局域应变场限制的激子尽管电子与空穴共存于空间中，却无法复合。局域单粒子态在包络函数近似下计算，该近似基于由 DFT 计算获得的三带 哈密顿量。在电子-空穴对基组中纳入关联后，计算了激子基态的结合能与衰减率。局域应变与少数层单硫族化物特有的 caldera 型价带之间的相互作用，产生了具有非常不同量子数的局域电子与空穴态，这阻碍了复合，即便对单重态激子也是如此。
引用
@article{arxiv.1904.04941,
title = {Quenching of exciton recombination in strained two-dimensional monochalcogenides},
author = {J. J. Esteve-Paredes and Sahar Pakdel and J. J. Palacios},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.04941},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 4 figures