单层过渡金属硫族化物中的四子、p激子与六激子
介观与纳米尺度物理
2022-02-22 v2 材料科学
摘要
我们对掺杂过渡金属硫族化物单层中的复合激子态进行了全面的理论分析。利用对分布函数，我们引入了一种方法来包含激子态与费米海电子之间相互作用中的屏蔽效应。采用屏蔽势，我们研究了四子（tetron）和p激子（pexciton），其中三子（trion）分别束缚于导带中的一个和两个空穴。导带空穴表示三子附近具有特定量子数的电子的缺失。接着我们分析了六激子（hexciton）复合体，其中导带空穴促进了三个电子与一个价带空穴的束缚。我们引入了一个简单模型，由此可以便捷地计算六激子复合体中第三个（卫星）电子的束缚能。最后，我们将模拟结果与实验进行比较，并指出了该分析的不足与成功之处。
引用
@article{arxiv.2202.08379,
title = {Tetrons, pexcitons, and hexcitons in monolayer transition-metal dichalcogenides},
author = {Dinh Van Tuan and Hanan Dery},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.08379},
year = {2022}
}