掺杂半导体中的复合激子态
材料科学
2022-08-15 v2
摘要
我们提出掺杂半导体中复合激子态的理论模型。光激发电子-空穴对与电子气之间的多体相互作用被整合为一个计算上易处理的少体问题，并通过变分法求解。由于导带性质迥异，我们聚焦于电子掺杂的 ML-MoSe 与 ML-WSe。在这两种情况下，复合体的核心均为紧密束缚的三子（两个电子与一个价带空穴），其外围为电子耗尽区。ML-WSe 中的复合体还包含一个具有不同量子数的卫星电子。该理论具有一般性，可应用于具有不同能带性质的半导体，从而能够计算其激子态并量化其与费米海的交互作用。
引用
@article{arxiv.2202.08374,
title = {Composite excitonic states in doped semiconductors},
author = {Dinh Van Tuan and Hanan Dery},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.08374},
year = {2022}
}