反点随机阵列中的准经典磁输运

我们在理论上研究了存在长程关联随机势时，被不可穿透圆盘随机系综散射的二维电子气的磁阻 $\rho_{xx}(B)$。我们认为该模型描述了具有反点随机阵列的高迁移率半导体异质结构。我们证明，两种无序散射的相互作用产生了仅存在单一无序时缺失的 $\rho_{xx}(B)$ 新行为。我们证明，即使是很弱的长程无序也会随着 $B$ 的增加变得重要。特别是，尽管当仅存在一种无序时 $\rho_{xx}(B)$ 在大 $B$ 极限下趋于零，但我们证明在存在平滑无序的反点阵列中，它随 $B$ 的增加持续增长。$\rho_{xx}(B)$ 行为的反转归因于强磁场诱导的准经典局域化的相互破坏：具体而言，长程 Gauss 无序中的绝热局域化被硬圆盘散射抹去，而绝热漂移及相关的回旋轨道渗透则破坏了稀疏硬圆盘系统中的局域化。对于稀疏反点阵列中的中等磁场，我们展示了强负磁阻的存在，这导致 $\rho_{xx}(B)$ 的非单调依赖性。