近反铁磁金属中的磁输运
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
我们给出靠近反铁磁量子临界点的弱无序金属中磁输运的理论。来自临界自旋涨落的各向异性散射受到来自少量无序的弱但各向同性散射的强烈影响。这导致一个大 regime，其中电阻率服从标度形式rho=rho_0+Delta rho = rho_0+T^{3/2} f(T/rho_0,(p-p_c)/rho_0,B/rho_0^{3/2})，其中rho_0为剩余电阻率，B为磁场，p-p_c>0度量相图顺磁侧距量子临界点的距离。磁场的轨道效应在非常洁净的样品中于不太低的温度下最显著，其中随磁场增大的电阻率从线性温度依赖Delta rho =T*sqrt{rho_0}跨接到正比于B且与T和rho_0无关的电阻率。在较高磁场下Delta rho饱和于正比于T^{1.5}或T^2/(p-p_c)的值。详细讨论了偏离标度、磁场轨道与自旋贡献的相互作用以及自旋涨落模型的实验检验。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9910432,
title = {Magnetotransport in nearly antiferromagnetic metals},
author = {A. Rosch},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9910432},
year = {2009}
}
备注
18 pages, 11 figures