SnSe 中的准二维热电性
材料科学
2018-02-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
硒化亚锡是一种层状半导体，是黑磷的极性类似物，并且作为一种热电材料备受关注。不同寻常的是，空穴掺杂的 SnSe 在高电导率下支持大的塞贝克系数，这一点迄今尚未得到解释。角分辨光电子能谱、光学反射谱和磁输运测量揭示了一个多谷价带结构和准二维色散，实现了 Hicks-Dresselhaus 热电效应，这有助于在高载流子密度下产生高塞贝克系数。我们进一步证明，剥离 SnSe 晶体管中的空穴积累层在 时表现出高达 的场效应迁移率。因此，SnSe 被发现是一种高质量的准二维半导体，非常理想用于热电应用。
引用
@article{arxiv.1802.08069,
title = {Quasi-two-dimensional thermoelectricity in SnSe},
author = {V. Tayari and B. V. Senkovskiy and D. Rybkovskiy and N. Ehlen and A. Fedorov and C. -Y. Chen and J. Avila and M. Asensio and A. Perucchi and P. di Pietro and L. Yashina and I. Fakih and N. Hemsworth and M. Petrescu and G. Gervais and A. Grüneis and T. Szkopek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.08069},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 5 figures, plus supporting information