中文

三维拓扑绝缘体薄膜中的量子霍尔效应

介观与纳米尺度物理 2011-08-23 v1 强关联电子

摘要

我们证明,具有交换场的三维拓扑绝缘体薄膜是著名的无朗道能级量子霍尔效应霍尔丹模型的实现。交换场扮演了蜂窝晶格上交错通量的角色,而表面态的杂化能隙则等价于AB子晶格上的交替在位能。我们预言了在外加磁场下三维拓扑绝缘体薄膜中量子霍尔效应的独特相图,该相图与传统量子霍尔效应系统或石墨烯中的相图截然不同。

关键词

引用

@article{arxiv.1104.3407,
  title  = {Quantum Hall Effect in Thin Films of Three-Dimensional Topological Insulators},
  author = {Huichao Li and L. Sheng and D. Y. Xing},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1104.3407},
  year   = {2011}
}

备注

4 pages, 4 figures