应变对半导体中掺杂能量的量子效应影响
材料科学
2015-03-19 v1
摘要
施加外部应变是调控半导体中掺杂剂位置偏好的一种有效方式，然而，先前关于应变对掺杂形成能影响的连续弹性模型的有效性仍存在争议。本文中，通过结合量子力学理论分析和第一性原理计算，我们表明，如果由应变引起的不同轨道占据变化可以忽略不计，则连续弹性模型有效，否则它将失效。我们的理论通过对Mn掺杂GaAs体系的第一性原理计算得到证实。此外，我们表明在压缩应变下，Mn掺杂自旋电子学材料中的空穴密度以及由此决定的居里温度TC可以提高。
引用
@article{arxiv.1104.2505,
title = {Quantum Effects of Strain Influence on the Doping Energy in Semiconductors},
author = {Z. T. Wang and Shiyou Chen and X. M. Duan and D. Y. Sun and X. G. Gong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.2505},
year = {2015}
}
备注
4 pages + 2 figures