压力增强 Mg2Sn 的热电性能
材料科学
2016-01-12 v1
摘要
利用包含自旋轨道耦合（SOC）的修正Becke-Johnson（mBJ）交换势，研究了 的电子结构与热电性能的压强依赖性。在 点自旋轨道分裂的对应值为0.47 eV，与实验值0.48 eV吻合良好。随着压力增大，能带隙先增大后减小。在特定掺杂范围内，n型的功率因子随压力增加与能带隙呈相同趋势。计算结果表明，在临界压力以下，压力可显著增强n型掺杂的功率因子，且在临界压力附近的相应晶格热导率呈现较小值。这些结果使我们相信，通过压力可改善 在n型掺杂下的热电性能。
引用
@article{arxiv.1601.02079,
title = {Pressure enhanced thermoelectric properties in Mg2Sn},
author = {San-Dong Guo and Jian-Li Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.02079},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 6 figures