二维系统中交换增强自旋劈裂的临界坍缩
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1 强关联电子
摘要
研究了一组 GaAs-GaAlAs 异质结中 Shubnikov-de Haas 振荡发生自旋劈裂的临界填充因子 v_c。使用有限温度磁阻测量来提取零温度下 v_c 的值。临界点是无序势与交换能大小相同时的点，由此得出经验关系 v_c = g* n t h / 2 m_0。这对于所有研究的样品都成立，其中密度 n 和单粒子寿命 t 都变化了一个数量级以上，而交换增强 g 因子 g* 对密度的依赖性较弱。对于每个样品，自旋隙能量随磁场线性增加。倾斜磁场中的实验表明，自旋隙是裸 Zeeman 能和交换项之和。这解释了为什么先前在垂直磁场中的激活能研究和倾斜磁场中的符合方法测量增强 g 因子的结果不一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9805332,
title = {Critical Collapse of the Exchange Enhanced Spin Splitting in 2-D Systems},
author = {D. R. Leadley and R. J. Nicholas and J. J. Harris and C. T. Foxon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9805332},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 18 figures. Submitted to Phys. Rev. B