GdN 中应变诱导的半金属到半导体转变
计算物理
2009-11-11 v1
摘要
我们研究了 GdN 的电子结构与磁性随晶胞体积的变化。基于 GdN 的第一性原理计算,我们观察到伴随体积增大导电特性发生转变:首先从半金属到半金属性(semi-metallic),最终到半导体性。我们表明施加应力可改变多数自旋通道中空穴与电子的载流子浓度及迁移率。此外,我们发现交换参数强烈依赖于晶格常数,因此该体系的居里温度可通过施加应力或掺杂杂质来提高。
引用
@article{arxiv.physics/0503224,
title = {Strain induced half-metal to semiconductor transition in GdN},
author = {C. -G. Duan and R. F. Sabiryanov and J. Liu and W. N. Mei and P. A. Dowben and J. R. Hardy},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0503224},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 3 figures