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Bi2212 中的赝能隙行为:广义 DMFT 方法的结果

强关联电子 2007-09-18 v2

摘要

为了描述 Bi2212 中的赝能隙态,我们采用了新颖的广义从头算 LDA+DMFT+Sigma_k 混合方案。该方案基于最强大的真实关联材料计算工具之一 LDA+DMFT 的策略。在此,LDA+DMFT 方程补充了一个额外的(动量依赖的)自能 Sigma_k,这符合我们最近提出的 DMFT+Sigma_k 方法的精神,用以解释赝能隙涨落。在当前模型中,Sigma_k 描述了由短程集体海森堡型反铁磁自旋涨落引起的非局域关联。DMFT 的有效单杂质问题通过 NRG 求解。Bi2212 化合物 Cu-3d 壳层有效 x2-y2 轨道的材料特定模型参数,如跳跃积分、局域库仑相互作用 U 和赝能隙势 Delta,是通过 LDA 和 LDA+DMFT 获得的。我们报告了理论 LDA+DMFT+Sigma_k 准粒子能带色散和阻尼、费米面重整化、(准)静态散射的动量各向异性、态密度、谱密度以及角分辨光电子发射(ARPES)谱,这些结果考虑了正常(轻微欠掺杂)Bi2212(delta=0.15)中的赝能隙和双层劈裂效应。我们表明,LDA+DMFT+Sigma_k 成功地描述了布里渊区边界附近的强(赝能隙)散射。在存在赝能隙涨落的情况下,我们计算的 LDA+DMFT+Sigma_k 费米面和 ARPES 谱几乎对双层劈裂强度不敏感。LDA 计算的双层劈裂值被发现相当小,无法描述实验观察到的峰-谷-肩结构。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0606651,
  title  = {Pseudogap behaviour in Bi2212: Results of Generalized DMFT Approach},
  author = {E. Z. Kuchinskii and I. A. Nekrasov and Z. V. Pchelkina and M. V. Sadovskii},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606651},
  year   = {2007}
}

备注

11 pages, 10 figures, 1 table