赝能隙区电子与空穴掺杂高温超导化合物的比较研究：LDA+DMFT+Sk 方法

I. A. Nekrasov; E. E. Kokorina; E. Z. Kuchinskii; Z. V. Pchelkina; M. V. Sadovskii

doi:10.1016/j.jpcs.2008.06.120

赝能隙区电子与空穴掺杂高温超导化合物的比较研究：LDA+DMFT+Sk 方法

强关联电子 2009-05-06 v2 超导电性

作者: I. A. Nekrasov , E. E. Kokorina , E. Z. Kuchinskii , Z. V. Pchelkina , M. V. Sadovskii

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摘要

本文采用新型广义 LDA+DMFT+Sk 方法描述了原型高温超导化合物空穴掺杂 Bi2Sr2CaCu2O8-x (Bi2212) 和电子掺杂 Nd2-xCexCuO4 (NCCO) 的赝能隙区。在此方法中，传统的动力学平均场理论 (DMFT) 方程被补充了额外的（动量依赖）自能量 Sk。在本案例中，Sk 描述了由短程集体海森堡型反铁磁自旋涨落引起的非局域动力学关联。Bi2212 两个相邻 CuO2 层和 NCCO 单个 CuO2 层的材料特定模型参数是在局域密度近似 (LDA) 和约束 LDA 方法内获得的。我们表明，在赝能隙涨落存在的情况下，NCCO 的费米面具有清晰可见的“热点”，而在 Bi2212 中则只是一个具有强反铁磁散射的较宽区域。所得结果与最近的角分辨光电子能谱 (ARPES) 和光学实验吻合良好。

关键词

高温超导体赝能隙区 lda+dmft+sk 电子掺杂空穴掺杂反铁磁自旋涨落费米面角分辨光电子能谱

引用

@article{arxiv.0708.2313,
  title  = {Comparative study of electron and hole doped High-Tc compounds in pseudogap regime: LDA+DMFT+Sk approach},
  author = {I. A. Nekrasov and E. E. Kokorina and E. Z. Kuchinskii and Z. V. Pchelkina and M. V. Sadovskii},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0708.2313},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 4 figures, submitted to SNS2007 proceedings

赝能隙区电子与空穴掺杂高温超导化合物的比较研究：LDA+DMFT+Sk 方法

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