采用 75 微米薄硅传感器的 SLID 互连 n-in-p 像素模块的制备与表征
仪器与探测器
2014-07-30 v2
摘要
本文介绍了由 75 微米薄硅传感器和采用固液互扩散（SLID）互连技术的 ATLAS 读出芯片构成的像素模块的性能。这项由 Fraunhofer EMFT 开发的技术是标准凸点键合的一种潜在替代方案。它允许堆叠不同的互连芯片和传感器层，而不会破坏已形成的键合。结合芯片间通孔（ICVs），这为垂直集成铺平了道路。这两种技术结合在一个像素模块概念中，构成了本文讨论模块的基础。涵盖了采用 SLID 互连和 75 微米厚度传感器的像素模块的机械和电气参数。讨论的机械特性包括互连效率、对准精度和机械强度。电气特性包括漏电流、调谐特性、电荷收集、团簇尺寸和击中效率。针对大型强子对撞机（LHC）加速器的高亮度升级（HL-LHC）的应用目标，结果是在辐照前后获得的，注量高达 （1 MeV 中子）。
引用
@article{arxiv.1310.5854,
title = {Production and Characterisation of SLID Interconnected n-in-p Pixel Modules with 75 Micrometer Thin Silicon Sensors},
author = {L. Andricek and M. Beimforde and A. Macchiolo and H-G. Moser and R. Nisius and R. H. Richter and S. Terzo and P. Weigell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.5854},
year = {2014}
}
备注
16 pages, 22 figures