金刚石压砧中少层 MoS2 场效应晶体管的加压
材料科学
2017-04-05 v1
摘要
使用金刚石压砧 (DAC) 施加静水压力已广泛探索用于通过调节晶格自由度来调制材料物理性质。独立地，电场能够通过例如场效应晶体管 (FET) 构型调节功能材料的电子自由度。结合这两种正交方法将允许发现超出已知相空间的新物理性质和相。然而，此类实验技术上具有挑战性且尚未被演示。在此，我们报告一种在 DAC 中制备和测量 FET 的可行策略，通过光刻将纳米器件图案化到金刚石砧面 (culet) 上。利用少层 MoS2 和 BN 分别作为沟道半导体和介电层，在 DAC 中制备了多端 FET。发现 MoS2 的迁移率、电导、载流子浓度和接触电导均可被压力显著增强。我们期望该方法能实现在机械-静电耦合调制下探索材料新相和性质的空前途径。
引用
@article{arxiv.1610.00385,
title = {Pressurizing Field-Effect Transistors of Few-Layer MoS2 in a Diamond Anvil Cell},
author = {Yabin Chen and Feng Ke and Penghong Ci and Changhyun Ko and Taegyun Park and Sahar Saremi and Huili Liu and Yeonbae Lee and Joonki Suh and Lane W. Martin and Joel W. Ager and Bin Chen and Junqiao Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.00385},
year = {2017}
}
备注
15 pages, 5 figures