f-电子体系中压力诱导的价态转变
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
本文综述了使用自相互作用修正的局域自旋密度（SIC-LSD）近似计算的f-电子体系中压力诱导的价态转变。这些计算表明，SIC-LSD能够描述作为压力或化学成分函数的价态变化。一个重要的发现是f-电子具有局域化或能带状的二重性。我们提出了一个有限温度推广，并将其应用于研究Ce中α到γ相变的p-T相图。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610263,
title = {Pressure Induced Valence Transitions in f-Electron Systems},
author = {W. M. Temmerman and A. Svane and L. Petit and M. Lueders and P. Strange and Z. Szotek},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610263},
year = {2007}
}
备注
18 pages, 19 figures, 4 tables, review article