26Si 基态半衰期的精确测量
核实验
2008-12-18 v2
摘要
26Si 的β衰变半衰期测量相对精度达到 1.4×10^-3。测量结果为 2.2283(27) 秒，与先前测量结果吻合良好，但精度提高了 4 倍。在同一实验中，我们还测量了非类比分支比，并能够以与先前报道测量相当的精度确定超允许分支比。该实验在于韦斯屈莱大学加速器实验室进行，我们利用 IGISOL 技术和 JYFLTRAP 设施分离了纯净的 26Si 样品。
引用
@article{arxiv.0801.4125,
title = {Precise half-life measurement of the 26Si ground state},
author = {I. Matea and J. Souin and J. Aysto and B. Blank and P. Delahaye and V. -V. Elomaa and T. Eronen and J. Giovinazzo and U. Hager and J. Hakala and J. Huikari and A. Jokinen and A. Kankainen and I. D. Moore and J. -L. Pedroza and S. Rahaman and J. Rissanen and J. Ronkainen and A. Saastamoinen and T. Sonoda and C. Weber},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.4125},
year = {2008}
}
备注
8 pages, 7 figures; accepted by EPJA