$^{25}$Si 和 $^{26}$P 的 β 衰变性质
核实验
2014-11-18 v1
摘要
在 GANIL/LISE3 装置上，通过带电粒子和 γ 射线谱学研究了缺中子核 Si 和 P 的 β 衰变性质。将获得的衰变纲图和 Gamow-Teller 强度分布与基于 USD 相互作用的壳模型计算进行了比较。由 β 衰变分支比的绝对测量得到的 B(GT) 值给出了 Gamow-Teller 强度的淬灭因子为 0.6。确定了 P 的精确半衰期为 43.7 (6) ms，并描述了其 β-(2)p 衰变模式。
引用
@article{arxiv.nucl-ex/0411026,
title = {Beta-decay properties of $^{25}$Si and $^{26}$P},
author = {J. -C. Thomas and L. Achouri and J. Aysto and R. Beraud and B. Blank and G. Canchel and S. Czajkowski and P. Dendooven and A. Ensallem and J. Giovinazzo and N. Guillet and J. Honkanen and A. Jokinen and A. Laird and M. Lewitowicz and C. Longour and F. De Oliveira Santos and K. Perajarvi and M. Stanoiu},
journal= {arXiv preprint arXiv:nucl-ex/0411026},
year = {2014}
}