超允许β+发射体26Si的精确半衰期测量
核实验
2014-11-21 v1
摘要
我们测量了超允许0+到0+ β+发射体26Si的半衰期为2245.3(7)毫秒。我们使用了纯净的26Si源，并采用了一个高效率气体计数器，该计数器对该核素及其子体26mAl发射的正电子均灵敏。数据作为关联的母体-子体衰变进行分析。为了对Cabibbo-Kobayashi-Maskawa（CKM）矩阵的幺正性检验做出有意义的贡献，超允许跃迁的ft值必须确定到0.1%或更好的精度。本结果的精度为0.03%，完全满足该要求。目前，在获得26Si超允许跃迁的±0.1% ft值之前，仅剩分支比需要精确测量。
引用
@article{arxiv.1008.2940,
title = {Precise Half-Life Measurement of the Superallowed Beta+ Emitter 26Si},
author = {V. E. Iacob and J. C. Hardy and A. Banu and L. Chen and V. V. Golovko and J. Goodwin and V. Horvat and N. Nica and H. I. Park and L. Trache and R. E. Tribble},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.2940},
year = {2014}
}