中文

通过二维反演不对称绝缘体中的位移电流精确确定拓扑相变临界点

介观与纳米尺度物理 2018-12-07 v1 材料科学 强关联电子

摘要

临界点的精确确定是提取相变各种临界性质的基础。我们确认,对于二维反演不对称绝缘体,无论有无时间反演对称性,当拓扑相变发生时,带边位移电流张量的所有非零分量都会以奇异方式反转符号,而与温度取何种实际值无关。这种带边位移电流张量的显著符号反转行为因此可用于精确确定各类拓扑相变的临界点,即便是温度驱动的相变。我们提出了具体材料以检验我们的预言。

关键词

引用

@article{arxiv.1812.02191,
  title  = {Precise determination of critical points of topological phase transitions via shift current in two-dimensional inversion asymmetric insulators},
  author = {Zhongbo Yan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1812.02191},
  year   = {2018}
}

备注

13 pages, 4 figures, including supplemental material