空穴掺杂 Cu2O 的潜在热电性能
材料科学
2013-04-22 v1
摘要
氧化物中的高热电性能需要具有合适能带结构的稳定导电材料。在此，我们基于第一性原理计算和玻尔兹曼输运理论对温差电动势及相关性质的分析表明，空穴掺杂的 Cu2O 可能是这样一种材料。我们发现，即使在 500 K 下掺杂浓度高达 5.5x10 20 cm-3，空穴掺杂的 Cu2O 仍具有超过 200 microV/K 的高温差电动势，这主要归因于 Cu2O 的重价带。这与高性能氧化物热电材料中的钴酸盐家族相似，意味着如果掺杂得当，空穴掺杂的 Cu2O 可能成为一种优异的热电材料。
引用
@article{arxiv.1301.0913,
title = {Potential thermoelectric performance of hole-doped Cu2O},
author = {Xin Chen and David Parker and Mao-Hua Du and David J. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.0913},
year = {2013}
}