AgGaTe$_2$及相关黄铜矿结构材料的热电性能
材料科学
2015-06-04 v1
摘要
我们分析了 p 型 AgGaTe的潜在热电性能，该材料经部分优化后已显示出 0.8 的值；我们观察到，导致这一良好性能的相同能带结构特征（如轻带与重带的混合以及各向同性输运）也存在于某些其他三元黄铜矿结构半导体中。我们发现，AgGaTe的最佳性能将在 900 K 时空穴浓度为 4 至 2 cm，以及在 700 K 时空穴浓度为 2 至 10 cm时实现；并且，若非具有较高的晶格热导率，某些其他黄铜矿半导体在类似的掺杂范围和温度下也可能表现出良好的热电性能。
引用
@article{arxiv.1203.1802,
title = {Thermoelectric properties of AgGaTe$_2$ and related chalcopyrite structure materials},
author = {David Parker and David J. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.1802},
year = {2015}
}