位置依赖质量对双层石墨烯悬链面桥的影响
介观与纳米尺度物理
2021-07-07 v1
摘要
我们研究了位置依赖有效质量的电子在双层石墨烯悬链面桥上的电子性质。我们提出一个作为高斯曲率和平均曲率函数的位置依赖质量(PDM)。哈密顿量展现出源于桥对称性的宇称和时间反演性质。有效势包含集中于悬链面桥周围的da Costa项、离心项和PDM项。对于零角动量态，PDM项提供了从无反射势到双势阱的过渡。结果，束缚态经历从桥喉附近单态到分别位于桥周围环上的双态的过渡。在PDM耦合常数超过某一临界值后，由于双势阱隧穿共振，简并得以恢复。
引用
@article{arxiv.2104.03235,
title = {Position-dependent mass effects on a bilayer graphene catenoid bridge},
author = {J. E. G. Silva and J. Furtado and A. C. A. Ramos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.03235},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 9 figures