单层 MoS2 纳米带中极性反转的稳健载流子迁移率
材料科学
2014-06-04 v1
摘要
利用第一性原理计算和形变势理论，我们研究了单层 MoS2 片层和纳米带的本征载流子迁移率 ({\mu})。与石墨烯形成纳米带时 {\mu} 急剧恶化三个数量级形成鲜明对比，扶手椅型 MoS2 纳米带中的 {\mu} 量级与单层 MoS2 片层相当，尽管随宽度振荡。令人惊讶的是，观察到室温输运极性反转，片层中空穴 (h) 和电子 (e) 的 {\mu} 分别为 200.52 (h) 和 72.16 (e) cm2V-1s-1，而在 4 nm 宽纳米带中分别为 49.72 (h) 和 190.89 (e) cm2V-1s-1。{\mu} 的稳健量级和极性反转归因于 MoS2 纳米带固有的边缘态特性差异。我们的研究表明，宽度缩减结合边缘工程为改善 MoS2 纳米结构的输运性能提供了一条有前景的途径。
引用
@article{arxiv.1310.7119,
title = {Polarity Reversed Robust Carrier Mobility in Monolayer MoS2 Nanoribbons},
author = {Yongqing Cai and Gang Zhang and Yong-Wei Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.7119},
year = {2014}
}