单层 MoS$_2$ 边缘应力的密度泛函理论计算

我们利用密度泛函理论计算了单层 MoS$_{2}$ 纳米带的边缘能和边缘应力。与先前关于石墨烯的报道相反，对于扶手椅型和锯齿型两种手性，发现 MoS$_{2}$ 纳米带的边缘应力均为拉应力，表明其最低能量构型处于压缩状态，此时 Mo-S 键长短于体相周期性单层 MoS$_{2}$ 中的键长。研究发现，当纳米带宽度大于约 1 nm 时，两种手性的边缘能和边缘应力均趋于收敛。