MoS2 纳米结构边缘上的等离激元
介观与纳米尺度物理
2015-03-03 v1
摘要
利用第一性原理计算，我们预测在锯齿形 MoS2 纳米带的边缘存在一维 (1D)、原子级受限的等离激元。最强的等离激元源于局域在装饰纳米带 Mo 边缘的硫二聚体上的金属性边缘态。对介电函数的详细分析表明，观察到的与理想一维等离激元行为的偏差源于金属性边缘态与 MoS2 薄片的价带和导带之间的单粒子跃迁。由于两边缘不同的等离激元性质，纳米带的 Mo 和 S 边缘在计算的空间分辨电子能量损失谱中清晰可辨。边缘等离激元可能用于调控 MoS2 纳米颗粒的光催化活性。
引用
@article{arxiv.1503.00538,
title = {Plasmons on the edge of MoS2 nanostructures},
author = {Kirsten Andersen and Karsten W. Jacobsen and Kristian S. Thygesen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.00538},
year = {2015}
}