利用硅光电倍增管（SiPM）测量等离子体温度
仪器与探测器
2020-10-26 v3 等离子体物理
摘要
囚禁于彭宁-马尔姆贝格（Penning-Malmberg）陷阱中的非中性等离子体温度，可通过缓慢降低陷阱静电轴向约束势垒的一侧来确定；温度由粒子随势垒高度逃逸出陷阱的速率推断。通常，逃逸粒子被导向微通道板（MCP），由此产生的放大电荷被收集在荧光屏上。该屏用于对等离子体成像，也可作为法拉第杯（FC）用于温度测量。其灵敏度极限受屏高压偏置增强的微音噪声限制。或者，可采用硅光电倍增管（SiPM）通过荧光屏发出的光来测量电荷。这使信号与微音噪声解耦，并可测量比先前更冷、更小的等离子体温度；本文聚焦于SiPM相对于FC的优势。
引用
@article{arxiv.2002.11216,
title = {Plasma Temperature Measurement with a Silicon Photomultiplier (SiPM)},
author = {E. D. Hunter and J. Fajans and N. A. Lewis and A. P. Povilus and C. Sierra and C. So and D. Zimmer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.11216},
year = {2020}
}