KMgBi 单晶的物理性质
材料科学
2017-02-01 v2
摘要
利用 Bi 助熔剂成功生长出 KMgBi 单晶。KMgBi 表现出半导体行为，在高温区出现金属-半导体转变，在低温区出现电阻率平台，这表明 KMgBi 可能是一种具有极小带隙的拓扑绝缘体。此外，KMgBi 展现出多带特征，其载流子浓度和迁移率具有强烈的温度依赖性。
引用
@article{arxiv.1610.02699,
title = {Physical properties of KMgBi single crystals},
author = {Xiao Zhang and Shanshan Sun and Hechang Lei},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.02699},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 5 figures