单晶MgB_2中的热输运与电输运
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
我们给出了在2至300 K之间单晶MgB_2基面内的热导率和电导率测量结果。对热导率温度依赖性的分析提供了超导态下Fermi面不同能片上存在两个不同能隙的支持证据。这两个能隙的零温值分别为D_1 (0) = 5.3 meV和D_2 (0) = 1.65 meV。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111273,
title = {Thermal and electrical transport in single crystalline MgB_2},
author = {A. V. Sologubenko and J. Jun and S. M. Kazakov and J. Karpinski and H. R. Ott},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111273},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures