铁磁半导体中的光致磁性

我们研究了入射光对铁磁半导体（如EuS）中磁转变温度$T_c$的增强效应。光激发载流子通过与局域磁矩的耦合介导了额外的铁磁相互作用。哈密顿量由描述局域磁矩的海森堡模型和光激发载流子与局域磁矩之间的相互作用项构成。该模型预测转变温度有小幅增强，与实验半定量吻合。