关联量子霍尔边缘的周边形变与隧穿
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v2
摘要
我们认为，在任何填充因子下，关联量子霍尔系统都拥有一组手征玻色子激发，这些激发由系统周边的电子刚性形变产生。我们提出，在低能下，隧穿电子只能通过这些周边形变激发被容纳在这些系统中。这一性质可以解释最近观察到的边缘隧穿态密度现象：它不强烈依赖于量子霍尔效应的发生与否，并且对能量具有幂律依赖关系，指数为（逆填充因子）-1。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9802019,
title = {Periphery deformations and tunneling at correlated quantum-Hall edges},
author = {U. Zuelicke and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9802019},
year = {2009}
}
备注
5 pages, RevTex, final version, to appear in PRB