分数量子霍尔边缘上由排斥相互作用产生的超导关联
介观与纳米尺度物理
2019-06-19 v2 强关联电子
超导电性
摘要
受近期人工构造边缘方法~\cite{2018NatPh..14..411R} 的启发，我们考虑一种分数量子霍尔双层系统，其具有填充分数 与 的量子霍尔态之间的界面。我们证明，其中一层内的随机隧穿与强排斥相互作用将驱动系统到达一个稳定不动点，具有两个反向传播的电荷模式且它们之间为吸引相互作用。结果，边缘上缓慢衰减的关联变为以超导为主。我们讨论了由此产生的可观测效应，并推导了阿贝尔量子霍尔态中电子吸引的一般条件。具有准长程超导序的分数量子霍尔边缘的更广泛意义在于其承载奇异任意子边界激发的前景，这可能作为拓扑量子计算的平台。
引用
@article{arxiv.1902.07722,
title = {Superconducting correlations out of repulsive interactions on a fractional quantum Hall edge},
author = {Jukka I. Väyrynen and Moshe Goldstein and Yuval Gefen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.07722},
year = {2019}
}
备注
Improved presentation, version published in Phys. Rev. Lett