用于HL-LHC实验的混合辐照n-MCz薄硅微条探测器的性能特征
仪器与探测器
2021-03-04 v1
摘要
在CERN RD50合作组内,MCz硅被确定为用于高亮度对撞机实验探测器的最佳材料。n型in p型硅探测器是极其耐辐照的探测器,可用于2026年新紧凑型缪子螺线管追踪探测器的第二阶段升级计划。n或p型MCz硅材料的选择取决于这些探测器相对于n或p型FZSi探测器的高电荷收集效率性能。需要为n、p型MCz硅建立体辐射损伤模型,以用于下一代高能物理实验先进探测器的设计、开发和优化。在这项工作中,通过将全耗尽电压和漏电流的实验数据与混合辐照n-MCz硅PAD探测器的Shockley-Read-Hall复合统计结果进行比较,提出了一种用于n-MCz硅的先进四级深陷阱混合辐照模型(E5、CiOi、E(30K)、H(152K))。混合辐照辐射损伤模型在全耗尽电压和漏电流中的预测不确定性,源于混合辐照n-MCz硅PAD探测器实验测量的宏观结果的不确定性。在全耗尽电压和漏电流的实验与SRH结果中观察到非常好的一致性。该模型还用于外推薄n-MCz硅微条探测器在不同混合(质子+中子)更高辐照通量下的全耗尽电压值。
引用
@article{arxiv.2103.02318,
title = {Performance Characteristics of Mixed Irradiated n-MCz Thin Silicon Microstrip Detector for the HL-LHC Experiments},
author = {Anchal Sharma and Nitu Saini and Shilpa Patyal and Balwinder Kaur and Ajay K. Srivastava},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.02318},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 7 figures