MgO 磁隧道结的并联漏电电容等效电路模型
材料科学
2015-06-12 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
实验观察到基于 MgO 的磁隧道结（MTJs）的电容具有磁场依赖性。我们提出了一种 MTJ 等效电路，该电路在几何电容与界面电容的串联组合两端并联了一个漏电电容（Cl）。对不同隧穿磁电阻（TMR）值结的分析表明，低 TMR 结具有更高的 Cl。利用 Cole-Cole 图揭示了 MTJ 的电容特性。使用 Maxwell-Wagner 电容模型进行拟合验证了 MTJ 的 RC 并联网络模型，且提取的场依赖参数与实验值相符。
引用
@article{arxiv.1211.3808,
title = {Parallel-leaky capacitance equivalent circuit model for MgO magnetic tunnel junctions},
author = {Ajeesh M. Sahadevan and Kalon Gopinadhan and Charanjit S. Bhatia and Hyunsoo Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.3808},
year = {2015}
}