高压下 CeRu4Sb12 的光学电导率与电子结构
强关联电子
2012-01-17 v3
摘要
已在高达 8 GPa 的高压和低温下测量了 Ce 填充方钴矿 CeRu4Sb12 的光学电导率 [s(w)]，以探测其电子结构的压力演化。在环境压力下，低温时 s(w) 中在 0.1 eV 处形成了一个中红外峰，且 0.1 eV 以下的谱权受到强烈抑制，这是由于 f 电子与传导电子态的杂化所致。随着外部压力增加，中红外峰向高能移动，该峰以下的谱权被进一步耗尽。将获得的谱数据与能带计算结果及其他已报道的物理性质进行了对比分析。结果表明，在外部压力下 CeRu4Sb12 的电子结构变得与窄带隙半导体的电子结构相似。
引用
@article{arxiv.1103.0811,
title = {Optical Conductivity and Electronic Structure of CeRu4Sb12 under High Pressure},
author = {H. Okamura and R. Kitamura and M. Matsunami and H. Sugawara and H. Harima and H. Sato and T. Moriwaki and Y. Ikemoto and T. Nanba},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.0811},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 9 figures