BaPt(4-x)Au(x)Ge12 填充方钴矿的超导参数

我们报告了对一系列多晶 BaPt(4-x)Au(x)Ge12 填充方钴矿化合物（$x = 0, 0.5, 0.75$ 和 $1$）超导性质的研究。进行了缪子自旋旋转 ($\mu$SR) 谱学以及磁化强度、比热和电阻率测量。评估了磁穿透深度 $\lambda$、相干长度 $\xi$ 和 Ginzburg-Landau 参数 $\kappa$。超流密度的温度依赖性很好地由 s 波超导能隙描述，且与场无关的 $\lambda$ 支持了这一经典图像。能隙与 $T_c$ 之比 $\Delta/kT_c$ 随 Au 含量增加而从 $x = 0$ 时的 1.70 增加到 $x = 1$ 时的 2.1(1)。结合 $\mu$SR、磁化强度和比热数据，我们发现 BaPt(4-x)Au(x)Ge12 化合物处于脏极限和净极限之间，载流子的平均自由程 $l \sim \xi$。有趣的是，BaPt4Ge12 的电阻率数据显示出高得多的上临界场，这可能是由于晶粒表面附近的缺陷或杂质所致。