FeSb₂中的强电子关联：光学研究及与RuSb₂的比较
强关联电子
2010-12-16 v1
摘要
我们报告了窄带隙半导体FeSb₂与其结构同系物RuSb₂的光学性质对比研究。在红外区域，RuSb₂在整个研究温度范围（10-300 K）内表现出绝缘体行为，而FeSb₂的光学反射率随温度降低呈现典型的半导体行为。传导电子对反射率的贡献受到抑制，并在远红外能量区域观察到直接和间接电荷激发带隙的开启。这些带隙开启的特征是，在远大于带隙能量的能量区域内，光导率的谱权重发生重新分布，表明强电子-电子关联参与了电荷带隙的形成。基于能带结构的光导率计算也为强电子关联的存在提供了证据。通过抛物线能带跨带隙的基本吸收分析光谱，得到直接带隙为130 meV，两个间接带隙分别为6 meV和31 meV。低能量和低温下自由载流子浓度的显著降低也反映在声子吸收不对称性的变化中，这表明声子-传导电子相互作用发生了改变。
引用
@article{arxiv.1012.3322,
title = {Strong electron correlations in FeSb2: An optical investigation and comparison with RuSb2},
author = {A. Herzog and M. Marutzky and J. Sichelschmidt and F. Steglich and S. Kimura and S. Johnsen and B. B. Iversen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.3322},
year = {2010}
}
备注
18 pages, 6 figures, 1 table