二维石墨相碳化硅的光学和电子性质
介观与纳米尺度物理
2012-05-25 v1 光学
摘要
采用密度泛函理论研究了二维少层石墨相碳化硅（GSiC），特别是单层和双层的光学和电子性质，发现其与石墨烯和硅烯不同。单层GSiC具有直接带隙，而少层则表现出间接带隙。单层GSiC的带隙可通过面内应变进行调控。双层GSiC的性质对层间距极为敏感。这些预测表明，单层GSiC因其独特的光学性质（区别于石墨烯、硅烯和少层GSiC）而有望成为新型发光二极管的候选材料。
引用
@article{arxiv.1205.5404,
title = {Optical and electronic properties of two dimensional graphitic silicon carbide},
author = {Xiao Lin and Yang Xu and Shisheng Lin and Ayaz Ali Hakro and Te Cao and Hongsheng Chen and Baile Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.5404},
year = {2012}
}
备注
22 pages, 7 figures