功率电子器件用 \beta-Ga2O3 的 MOCVD 机遇与挑战
应用物理
2020-09-03 v1
摘要
边缘定义薄膜馈送技术在大尺寸 beta-Ga2O3 体单晶生长方面的近期突破已促成大面积 beta-Ga2O3 衬底的商用化。标准外延方法正被用于开发包括横向晶体管在内的各类薄膜 beta-Ga2O3 基器件。本文将讨论 beta-Ga2O3 的金属有机化学气相沉积（MOCVD）所面临的挑战，以及该材料体系用于功率电子器件结构中的设计准则。
引用
@article{arxiv.2009.01117,
title = {Opportunities and Challenges in MOCVD of \beta-Ga2O3 for Power Electronic Devices},
author = {M. A. Mastro and J. K. Hite and C. R. Eddy, and M. J. Tadjer and S. J. Pearton and F. Ren and J. Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.01117},
year = {2020}
}