MOCVD生长的原位Al₂O₃/β-Ga₂O₃的介电可靠性与陷阱表征
材料科学
2024-08-22 v1 应用物理
摘要
本文研究了在800°C高温下，利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在β-Ga₂O₃上原位生长Al₂O₃。Al₂O₃与β-Ga₂O₃在同一反应腔内生长，使用三甲基铝（TMAl）和O₂作为前驱体，无需破坏真空。我们通过应力电容-电压（C-V）和光辅助C-V方法表征了浅能级和深能级陷阱。高温沉积的介电层表现出约10 MV/cm的优异击穿场强。此外，我们使用时间相关介电击穿（TDDB）测量评估了介电层的可靠性和寿命。通过将沉积工艺修改为包括高温（800°C）薄界面层和低温（600°C）体层，我们报告了在10 MV/cm的击穿场强下，10年寿命对应的应力场为3.5 MV/cm。
引用
@article{arxiv.2408.11342,
title = {Dielectric Reliability and Interface Trap Characterization in MOCVD grown In-situ Al$_2$O$_3$ on $\beta$-Ga$_2$O$_3$},
author = {Saurav Roy and Arkka Bhattacharyya and Carl Peterson and Sriram Krishnamoorthy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.11342},
year = {2024}
}