利用化学浴沉积法一步生长嵌入近单分散 CdS 纳米晶的 PVP 微球
介观与纳米尺度物理
2014-06-18 v1 材料科学
摘要
我们采用简单的化学浴沉积技术在 PVP 基质中生长了近单分散的 CdS 纳米晶。对生长参数变化的系统研究表明，PVP 基质中 CdS 纳米晶的优化生长取决于浴中乙酸镉/硫脲与聚乙烯吡咯烷酮的相对浓度。还观察到，与较低浓度 (0.5M) 相比，较高浓度 (1M) 的乙酸镉/硫脲会产生更小的纳米晶 (NCs)，但使用 1M 浓度生长的薄膜中粒子密度更大。扫描电子显微镜研究表明，这是一种粒径约为 100-200nm 的球形纳米颗粒薄膜。此外，吸收光谱、能量色散光谱和透射电子显微镜调查显示，在 0.5M 和 1M 乙酸镉/硫脲浓度范围内，近单分散的 CdS 纳米晶嵌入在 100-200nm 的 PVP 微球中（图 1）。研究了改变 PVP、乙酸镉/硫脲浓度、添加顺序及加热/冷却循环的影响，结果与现有理论相符。
引用
@article{arxiv.1406.4338,
title = {One step growth of PVP spheres embedded with nearly monodispersive CdS nanocrystals using chemical bath deposition},
author = {Alka A Ingale and Rahul Aggarwal and Ekta Rani and Komal Bapna and Pragya Tiwari and Arvind K Srivastava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.4338},
year = {2014}
}