物理气相沉积过程中团簇的临界间距
材料科学
2011-12-15 v1
摘要
对应于最大团簇密度的临界间距会影响物理气相沉积 (PVD) 过程中的生长特性。特别是，这种间距会影响单晶薄膜生长中的表面光滑度、多晶薄膜生长中的晶粒尺寸分布以及纳米棒生长中的直径。本文报道了临界间距作为沉积条件函数的理论表达式，并利用 Cu{111} 上 PVD 的晶格动力学蒙特卡洛 (MC) 模拟进行了伴随验证。与现有理论相比，本文中的理论表达式 (1) 是闭式解，(2) 比晶格近似与 MC 模拟更符合，(3) 当临界间距较大（对于 Cu{111} 上的 PVD 大于 25 nm）时，比平均场近似与 MC 模拟更符合。
引用
@article{arxiv.1112.3278,
title = {Critical Separation of Clusters During Physical Vapor Deposition},
author = {L. G. Zhou and Hanchen Huang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.3278},
year = {2011}
}