SiGe纳米晶中自旋选择性隧穿的观测
介观与纳米尺度物理
2012-02-27 v1
摘要
报道了在由正常金属引线接触的SiGe纳米晶中空穴的自旋选择性隧穿。自旋选择性源于磁场的轨道效应与半导体价带中存在的强自旋-轨道相互作用的共同作用。我们在实验和理论上都证明，无需使用铁磁接触即可在半导体纳米结构中实现自旋选择性隧穿。所报道的效应依赖于轻重空穴的混合，应在具有简并价带的半导体中形成的广泛量子点系统中可观测到。
引用
@article{arxiv.1107.3919,
title = {Observation of spin-selective tunneling in SiGe nanocrystals},
author = {G. Katsaros and V. N. Golovach and P. Spathis and N. Ares and M. Stoffel and F. Fournel and O. G. Schmidt and L. I. Glazman and S. De Franceschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.3919},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 5 figures