Ge/Si纳米线中的强自旋-轨道相互作用与螺旋空穴态
介观与纳米尺度物理
2011-12-06 v2
摘要
我们从理论上研究了Ge/Si核/壳纳米线的低能空穴态。低能价带是准简并的，由两个具有不同轨道角动量的双重态构成，并且可以通过相对壳层厚度和外场进行调控。我们发现，与中等强度电场的直接（偶极）耦合会导致异常大的Rashba型自旋-轨道相互作用，其量级达到meV，从而产生显著的螺旋态，使得电控自旋成为可能。该体系允许构建量子点和自旋量子比特，其能级可根据相对壳层厚度在接近零到数个meV之间变化。
引用
@article{arxiv.1107.4870,
title = {Strong Spin-Orbit Interaction and Helical Hole States in Ge/Si Nanowires},
author = {Christoph Kloeffel and Mircea Trif and Daniel Loss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.4870},
year = {2011}
}
备注
8 pages, 6 figures