Ge/Si 纳米线中的强相互作用空穴
强关联电子
2014-10-27 v2
摘要
我们考虑了受限在 Ge/Si 核/壳纳米线中的空穴，这些纳米线受到强 Rashba 自旋 - 轨道相互作用和屏蔽库仑相互作用的影响。此类纳米线例如可作为马约拉纳束缚态的宿主系统。从微观模型出发，我们发现库仑相互作用强烈影响了实验上现实可行的纳米线的性质。为了证明这一点，我们基于重整化群分析推导出了 Luttinger 液体描述。该描述进而允许计算各种关联函数的标度指数，将其表示为微观系统参数的函数。此外，它还使得研究库仑相互作用对小磁场的影响成为可能，该磁场会打开一个强各向异性的部分能隙。
引用
@article{arxiv.1408.0631,
title = {Strongly Interacting Holes in Ge/Si Nanowires},
author = {Franziska Maier and Tobias Meng and Daniel Loss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.0631},
year = {2014}
}