应变 Ge/SiGe 量子阱中二维空穴气的立方 Rashba 自旋 - 轨道相互作用
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v2
摘要
我们在应变 Ge/SiGe 量子阱结构中研究了反演对称半导体 Ge 中二维空穴气的自旋 - 轨道相互作用 (SOI)。我们在磁电导测量中观察到弱反局域化 (WAL)，表明 WAL 特征可以完全由 k-立方 Rashba SOI 理论描述。此外，我们展示了对 Rashba SOI 的电场控制。我们的研究结果表明，应变 Ge 中的重空穴 (HH) 是一个纯立方 Rashba 系统，这与 HH 波函数的自旋角动量 mj = +-3/2 性质一致。
引用
@article{arxiv.1408.1148,
title = {Cubic Rashba spin-orbit interaction of two-dimensional hole gas in strained-Ge/SiGe quantum well},
author = {Rai Moriya and Kentarou Sawano and Yusuke Hoshi and Satoru Masubuchi and Yasuhiro Shiraki and Andreas Wild and Christian Neumann and Gerhard Abstreiter and Dominique Bougeard and Takaaki Koga and Tomoki Machida},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.1148},
year = {2015}
}
备注
To be published in Phys. Rev. Lett