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0.7(2e2/h) 特征的分数量子化形式

介观与纳米尺度物理 2007-05-23 v1 强关联电子

摘要

我们首次报道了在 n 型 Si (100) 表面上制备的 p 型自组装硅量子阱中嵌入的 Rashba 栅控环中的自旋晶体管效应。通过改变垂直施加于双缝环平面的外磁场和顶栅电压,研究了空穴自旋相关输运的相干性和相位敏感性,并分别通过 Aharonov-Bohm (AB) 和 Aharonov-Casher (AC) 电导振荡揭示。首先,发现由插入双缝环一个臂中的量子点接触揭示的空穴量子电导阶梯的 0.7(2e2/h) 特征的振幅和相位敏感性源于自发自旋极化和 Rashba 自旋轨道相互作用 (SOI) 的相互作用。其次,发现由 Rashba SOI 引起的 AC 电导振荡的值呈现分数量子化形式,其平台和台阶均作为顶栅电压的函数。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0608632,
  title  = {Fractional form of the 0.7(2e2/h) feature},
  author = {N. T. Bagraev and N. G. Galkin and W. Gehlhoff and L. E. Klyachkin and A. M. Malyarenko and I. A. Shelykh},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608632},
  year   = {2007}
}

备注

5pages, 5 figures