p 型超窄硅量子阱中的自旋相关输运
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 超导电性
摘要
我们展示了在 n 型 Si (100) 表面上由超导势垒限制的 p 型超窄自组装硅量子阱（Si-QW）中二维空穴的自旋相关输运的研究结果。发现由 Rashba 自旋轨道相互作用引起的 Aharonov-Casher 电导振荡与在 Si-QW 中产生二维子带所诱导的量子化现象以及由于超导势垒的 Andreev 反射产生的量子子带相互作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0608628,
title = {Spin-dependent transport in the p-type ultra-narrow silicon quantum well},
author = {N. T. Bagraev and M. I. Bovt and W. Gehlhoff and O. N. Guimbitskaya and L. E. Klyachkin and A. M. Malyarenko and V. A. Mashkov and V. V. Romanov and S. A. Rykov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608628},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 8 figures